“任總，這款芯片足以改變整個電子領域的走勢，我們應該放棄既定的發展規劃，減少非必要的投資，收縮相關芯片業務，順勢而為，與對方加強合作，投入巨資，爭取在這一個領域先拔頭籌。”接著任凡的話，技術總監姚啟明下定論道。
“這怎么行！還未具體摸清這家公司的情況，就下這么大的注！萬一出現問題，誰付得起這個責！”
“就是，檢測報告又不能說明什么，不清楚它的量產工藝，這決定太莽撞了！”
“……。”
姚啟明話音一落，當即引來一片反對者，對于新技術，絕大數人都保持著敬畏的心里，尤其是一家名不見經傳，突然搞成這么先進的黑科技。
面對眾多反對者，姚啟明深吸了一口氣，沉聲道：“電子芯片制造領域已經抵達物理極限，摩爾定律不再起效，在這種情況下，這項技術的出現，預示著舊勢力將坍塌，芯片領域將迎來翻天覆地的變革，僅憑這一點，我們就有理由全力支持它。”
聞言，眾人集體陷入沉默。
正如，姚啟明所說，經歷這么長時間的發展，芯片領域已經進入7納米級別，一個挑戰物理極限的程度。
所謂的7納米其實指的是，CPU的上形成的互補氧化物金屬半導體場效應晶體管柵極的寬度，也被稱為柵長。
柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管，在芯片晶體管集成度相當的情況下，使用更先進的制造工藝，芯片的面積和功耗就越小，成本也越低。
市面上主流的芯片制程是14納米，實驗室的制程早已進入7納米，之所為大規模應用，因為7納米已經達到了物理的極限。
7納米制程，電子移動的距離大大縮短，容易導致晶體管內部電子自發通過晶體管通道的硅底板進行的從負極流向正極的運動，也就是漏電。
為了解決漏電問題，Intel、IBM等公司可謂八仙過海，各顯神通，比如Intel在其制造工藝中融合了高介電薄膜和金屬門集成電路以解決漏電問題；IBM開發出SOI技術——在在源極和漏極埋下一層強電介質膜來解決漏電問題；此外，還有鰭式場效電晶體技術——借由增加絕緣層的表面積來增加電容值，降低漏電流以達到防止發生電子躍遷的目的......
上述做法在柵長大于7nm的時候一定程度上能有效解決漏電問題，不過，在采用現有芯片材料的基礎上，晶體管柵長一旦低于7nm，晶體管中的電子就很容易產生隧穿效應，為芯片的制造帶來巨大的挑戰。
隨著這款生物芯片的誕生，預示著一條新道路的出現，如果加強這方面的研究和透支，未必不能取得比它更先進的技術。
會議室陷入沉寂，所有人都在思考，
“聯系他，約個時間，我要單獨跟他會個面。”就在這時，主席位的任總打破了沉寂，吩咐姚啟明道。
“明白，那其他與芯片相關的項目怎么處理？”姚啟明點了點頭，詢問道。
聞言，任總皺了皺眉，認真思索了片刻，決絕地下令：“三天后，我要一份更全面的評估報告，已有的電子芯片研發項目放緩研究進度，未開啟的芯片項目，暫且擱置，等報告出來在抉擇，另外，再增加新一個項目，對該芯片進行逆推工作。”
“明白！”姚啟明欣然應命，對任總的決定感到欣喜。
眾股東彼此對視了一眼，無人反對爭辯，即便那些項目是他們的，在這種時刻，也只有坐等被砍掉的命運。