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          第四十七章 新的目標(1 / 2)

          之后的幾天,許秋又做了兩批器件,一批是重復PEN基片的,另一批是在同樣實驗條件下玻璃基片的。

          PTB7-TH體系中,PEN基片的最高效率提高了一點點,達到了8.20%。

          而玻璃基片下的標準樣品,最高效率可達這個數值,相比于他之前在模擬實驗室中得到的稍差一些,可能是器件結構不同造成的。

          PEN基片不能高溫熱退火,所以用的是傳輸層的正常結構,而之前使用的是氧化鋅傳輸層的倒置結構。

          此外,雖然重點在于PTB7-TH體系,但是許秋也做了P3HT體系。

          主要是為了讓文章數據更加豐滿一些,同時也說明這種柔性襯底的加工方式具有普適性。

          再之后,許秋完成了各種表征測試,包括光吸收光譜、熒光光譜、CELIV測試等,還拍了一張用兩只鑷子彎曲PEN基片器件的照片。

          在實驗進行的間隙,許秋也在同步以論文的形式,寫項目的結題報告。

          這個時候,他前期了大量的文獻的優勢就體現出來了,再加上他還可以隨時向學姐請教。

          因此中文論文寫起來壓力并不大。

          正文部分,許秋先將四組器件編號,PEN基片的PTB7-TH、P3HT體系,分別為1#、3#,玻璃基片對應的體系分別為2#、4#。

          然后,主要就是比較玻璃和PEN這兩種基片的不同,對器件性能的影響,并分析其可能的原因。

          像是光學性能,光吸收光譜和熒光光譜都是直接測有效層薄膜的,數據對兩種基片的器件都是一樣的。

          所以不需要比較,直接將得到的圖片信息轉化為文字就可以了。

          比如:1#、2#有效層共混薄膜的主要光吸收范圍在550-750納米,最高吸收峰位置在680納米處,3#、4#的主要光吸收范圍在300-600納米,最高吸收峰位置在530納米處。

          熒光光譜則相對復雜一些,兩種體系都需要分別測試給體、受體單獨組分薄膜和共混薄膜的熒光光譜,然后計算熒光淬滅效率。

          不過,同樣是看圖說話,也沒什么難度。

          而像是CELIV,則是對電池器件進行表征,那么不同樣品編號的器件測試的結果就會有所不同,就需要進行比較分析。

          許秋的測試結果:

          1#的載流子遷移率是1.2E-4厘米平方每伏秒,2厘米平方每伏秒,顯然2#更高一些,但兩者在同一數量級。

          因為2#對應的電池器件性能更好,就可以解釋為,載流子遷移率的提高導致了器件性能的提高。

          進一步,還可以繼續分析下去,比如遷移率的提高會減小電荷復合情況,增大短路電流密度等等。

          但如果反過來,假如他的測試結果為:

          2厘米平方每伏秒,1厘米平方每伏秒。

          那么就可以一筆帶過,說兩者載流子遷移率相差不大,在同一個數量級,或者說載流子遷移率對器件光電性能的影響不大。

          許秋最開始文獻的時候,就時常疑惑,對于同樣的一個實驗現象,為什么有的人說是XX原因,有的人說是YY原因,還有人說是XXYY原因,難道學術界里就沒有一種統一的觀點嗎?

          后來,隨著文獻量的提升,他逐漸明白了其中的道理。

          材料,或者說所有的實驗學科,所有對實驗結果的解釋其實都是猜想,理論永遠是落后于實驗的。

          不可能憑空創造一個完美的理論模型,如果那樣的話,直接開幾臺超算,算出最優結果就行了。

          真實情況是,研究者們需要通過不斷的實驗,得到大量的實驗數據,然后通過這些實驗數據,來建立起一套理論體系。

          但即使這樣建立的體系,可能還是存在很多問題,需要不斷的給理論打補丁。

          同時,其中還會有很多現象難以解釋,這個時候,行業大佬們就會提出很多種觀點。

          而其他研究者們在發表論文時,也會對這些現象進行討論,提出自己的觀點。

          這個過程就類似于辯論。

          最終,學術界可能只剩下一種統一的觀點,也可能會有多種觀點并存,抑或者在將來又有新理論將之前的理論完全推翻。

          …………

          一周過去,許秋完成了項目結題報告。

          同時,他也收到了系統提示。

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