而現在許秋10%的效率，談得上是突破，卻不算重大突破。
將心中的雜念拋開，許秋開始仔細分析數據。
不論如何，作為科研工作者，最核心的還是要把自己的工作做好。
一共有上千個器件的J-V數據結果，光是分析這些龐雜的數據，許秋就花費了半個小時的時間，也得到了不少結論：
第一，最佳的體系為H22：IDTT-ICIN，效率達到了原先體系的效率是7.6%，這表明IDTT單元相比于原先的IDT單元，光電性能提升了不少。
許秋立刻認識到IDTT-ICIN將是一個非常重要的標樣體系，便將IDTT-ICIN命名為ITIC，對于標樣體系來說，名稱簡單一些比較好，就比如PCE10、P3HT、PCE11、PCBM這些。名字簡單就容易被其他人記憶，也容易得到同行們的認可。
此外，ITIC的體系，和3D-PDI體系不同，這種ADA分子的最優器件加工條件，不需要退火后處理，也不需要溶劑添加劑，只需要正常的噴涂即可，非常的簡單，很“干凈”。
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而且，正常旋涂出來的器件性能要比噴涂法制備的器件低2%左右，僅為8.33%，如果其他人不知道噴涂這個技巧，就會比較難以重復出來這個結果。
第二，基于這些結構，性能相較于IDT-ICIN，-4F和-DM體系有所提高，幅度也不算小分別提升到了8.92而-4Cl體系反而略微降低第三，學妹的H3x體系，也就是在BDT單元上引入氟原子后，器件的性能并沒有提高，反而略微降低。
根據現有的文獻，從統計學上來看，BDT上引入氟原子，性能提升的概率大概在20%左右，當然的想法是雖然這個概率不高，但也值得嘗試，現在撲街了，也沒什么大不了的。
因為哪怕是撲街的材料，和ITIC結合，器件性能也有8.72%，最后拿出來水一篇ACSAMI還是沒什么問題的。
第四，博后學姐的FN-ICIN體系，被許秋簡稱為FNIC，效率最高可達9.64%，最優的匹配給體為窄帶隙的PCE10，而非寬帶隙的H22系列。
許秋推斷可能是分子共軛長度延長，光吸收范圍會向近紅外的方向移動，以至于和窄帶隙的材料形成互補的光吸收。
他順手讓模擬實驗人員測了一個光吸收光譜，得以驗證，IDT-ICIN、ITIC、FNIC的共軛長度分別為5、7、9，光吸收的范圍大致各為550-750、600-800、650-850，也就是共軛長度每提高2，光吸收大約紅移50納米。
除了得出了四個結論外，許秋還順便想出了接下來的優化方向。
第一優先級，合成IDTT-ICIN-4F、IDTT-ICIN-DM和FN-ICIN-4F，分別被他簡稱為IT-4F、IT-DM和FN-4F。
第二優先級，合成單氟、單甲基取代的ICIN-F，ICIN-M單元，單氯取代的結構合成出來意義不大。這樣做既可以發文章，又可以明晰引入雜原子、甲基的數量對器件性能的影響。很多時候雖然能夠大概猜測到變化趨勢，但沒有把材料合成出來，再經過測試，那就只是猜測而已。
第三優先級，側鏈修飾，使用噻吩側鏈以及苯環間位連接己基的側鏈取代ITIC體系中苯環對位連接己基的側鏈。
和當初沖刺效率的時候不同，那時候是新結構，達到多少多少的標準，差不多就是什么檔次的文章，比如8%就是二區，10%就是一區。
現在對于這些新工作來說，相當于同屬一個類似的結構，器件的效率只要保持在一定數值以上，不一定每次都取得效率突破，只要把故事講得好聽，也能夠發表不差的文章，比如AM這樣頂刊級別的文章。
當然，想要發表更好文章，比如《自然》主刊、大子刊級別的，還是要把效率做上去，至少也要打破現有的效率記錄。