晚上，許秋回到寢室，看到室友孫一凡坐在桌子前打著個臺燈，對著電腦搓爐石。
孫一凡招呼道：“許秋，回來啦，你看到輔導員發的名單了嘛，我們直博生沒人權啊，居然都只有二獎，一獎都被碩博連讀的給撈走了。”
許秋聳了聳肩，附和了一句：“是啊，我之前也以為我們是一獎呢……不過一獎、二獎也差不多，估計最多也就相差一兩千塊錢，灑灑水啦。”
“那倒也是，”孫一凡點點頭，隨口問道：“對了，許秋你有申請國獎嘛？我記得你本科文章好像發了不少吧。”
“嗯，申請了。”許秋回應道。他在孫一凡后面看了一會兒，游戲剛開局，雙方都是30血，看不出什么來，WAR3他是玩過的，但暴雪之后出的包括WOW、爐石之類的都沒有接觸過。
孫一凡突然說道：“我聽說我們博士班的班長，穆雪也申請了國獎。”
許秋愣了一下，問道：“穆雪，她不是從清北大學保研過來的嘛，怎么申請的？”
孫一凡搖搖頭：“那我就不清楚了。”
兩人又聊了幾句，許秋聽到外面洗手間的浴室有人出來，便帶著洗浴用品和一卡通洗澡去了。
平常許秋和孫一凡的交流并不多，不像本科時候的室友那么頻繁，當然，也可能是陶焱比較自來熟的緣故。
洗完澡后，許秋往床上一趟，進入模擬實驗室。
這些天，針對半透明電池器件，他已經在模擬實驗室中進行了不少的嘗試，并獲得了一些前期工作的結果。
半透明器件的制備難度并不大，和傳統器件的唯一不同之處就是，電極被更換為了半透明電極材料，包括薄層金屬、銀納米線或是ITO等。
其中，ITO的制備難度太高，需要用到磁控濺射等手段，于是許秋就只嘗試了旋涂銀納米線，以及蒸鍍薄層金屬電極這兩種。
之前，許秋本來以為銀納米線旋涂出來，可以兼具導電性和透光性兩大優點，成為非常完美的半透明電極材料。
但是在實際操作過程中發現，結果并不理想。
他使用藍河公司購買的銀納米線溶液旋涂出來的薄膜，透光性是滿足了，看起來非常的通透，可導電性方面就撲街了，制備出來的器件直接是斷路狀態。
為了探明原因，許秋用萬用表測試了一下銀納米線薄膜的電阻，發現它的阻值在千歐的級別，而平常ITO電極的電阻阻值一般在幾歐姆的級別，差了三個數量級以上。
后來，他進一步的探索，用AFM、TEM、SEM等各種電鏡進行觀察，反正模擬實驗室里電鏡也不花錢，就索性全用上測一遍。
最終結果顯示，旋涂得到的銀納米線很多根都是近似平行的或者堆在一起的，而且還有一些已經斷掉了的納米線。
納米線這種東西想要具有良好的導電性，必須要每根納米線相互之間接觸良好，形成一種類似于網格狀的結構。
因此，現在這樣的微觀結構，導電率低下也就很容易理解了，可能的原因是旋涂過程中對銀納米線造成了取向和破壞。
為了試圖解決這個問題，許秋瀏覽了一下小蟲子網站。
發現其他人在旋涂銀納米線的時候，也出現過類似的問題，包括導電性差、穩定性差等，而且沒有太好的解決方法。
于是，許秋又去查閱了一些文獻，發現制備銀納米線導電薄膜的常用方法，是刮涂、滴涂，以及“slot-die”的方法。
所謂“slot-die”的方法，有點像是刮涂的進階版本，就是在基片上方一定高度處放一個窄槽，這個窄槽里面不斷注入有效層或者傳輸層溶液，這些溶液會從窄槽中滴落，落到基片上成膜，因為是窄槽，所以形成的薄膜也是細細的窄膜。這個時候，讓溶液在滴落的過程中，以一定的速率同步的移動窄槽，就可以使得滴落后的溶液撲滿窄槽掃過的面積，也即得到一層薄膜。
“slot-die”和刮涂的區別就是刮涂是先把溶液滴在基片上，而“slot-die”是溶液在窄槽內，然后一點點的往出流，因此工藝難度很稍微高一些。
許秋的這番操作，其實也是他在遇到實驗失敗時的常規步驟：