蒸鍍艙的真空度達標后，許秋和莫文琳又回到實驗室，先按照正常的方法用束源爐加熱法蒸鍍了三氧化鉬。
之后等待束源爐溫度降低至100攝氏度以下，開始準備蒸鍍金屬電極。
平常蒸鍍厚膜金屬電極的時候，蒸鍍的速率并不是很重要，有的時候趕時間，還會直接用閃蒸的操作方式制備電極。
所謂閃蒸，突出一個字“閃”，就是直接用大電流，在不燒斷保險絲的前提下，把蒸鍍速率拉滿，嗖的一下就把膜給鍍好了。
對比一下，正常蒸金屬電極是大約1埃每秒，即0.1納米每秒的蒸鍍速率，蒸100納米需要大約17分鐘。
而閃蒸的速率可能會達到6埃每秒，甚至10埃每秒以上，直接幾分鐘就能搞定。
除了蒸的快，閃蒸還有另外一個優點，那就是蒸的厚，對靶材的利用率高。
尤其是平常在蒸鍍金的時候，因為金比較貴嘛，所以為了防止浪費，都是盡量少加金靶材，然后直接閃蒸的。
根據許秋的經驗，如果閃蒸把金全部蒸完，得到的金膜厚度是100納米的話，正常速率蒸鍍得到的厚度可能就只有30-50納米，差距還是非常大的。
凡事有利就有弊，閃蒸也是有缺點的，那就是會讓蒸鍍得到的薄膜變得不均勻。
舉一個不太形象的例子，可以把蒸鍍的過程想象下冰雹的過程，器件表面想象成為泥土地面，蒸鍍速率越快，冰雹顆粒越大，下落的速度越快，就更容易把地面給砸出坑來。
對應在蒸鍍過程的體現，就是蒸鍍速率越快，靶材分子越會傾向于滲入有效層或者傳輸層薄膜中，從而形成不同位置厚薄不同的金屬電極。
當金屬電極的總厚度比較厚的時候，厚薄不均勻的影響不大，假設膜厚在100納米，厚度的偏差在10納米，最終得到的厚度分布也會是100±10納米，自然不會影響到電極的導電性能。
可如果厚度比較薄的時候，這個影響就明顯了，厚度是10±10納米，有些地方就直接斷路了。
因此，現在蒸鍍1納米的金，9納米的銀的雙層薄層電極，為了保證電極的連續性，不僅不能閃蒸，而且還要進一步壓低蒸鍍速率。
許秋計劃選用的蒸鍍速率是0.2埃每秒左右，和蒸鍍三氧化鉬傳輸層的速率相當，這樣蒸1納米的金，需要大約1分鐘，9納米的銀，大約需要7分半鐘，比平常蒸鍍的時間還要短。
理論合理，實踐開始。
許秋設置好金靶材的各項參數，包括密度、Z因數等，然后啟動電流加熱裝置，將電流輸出端調至金靶材的回路，同時向莫文琳吩咐道：
“莫文琳，你記錄一下實驗條件，剛剛三氧化鉬是565攝氏度，0.2-0.3埃每秒，膜厚是10納米。接下來的金、銀電極膜厚分別為1納米和9納米，計劃蒸鍍速率是0.2埃每秒……”
“好的。”莫文琳點點頭，然后從蒸鍍手套箱頂上摸出一本實驗記錄本出來，開始記錄。
像這種大型儀器的使用都是需要記錄的，要是出現問題比較容易追責，當然，也不完全是為了追責，這樣做還能讓實驗人員不至于忘記之前的實驗條件。
尤其是不熟練的新人，如果忘記了實驗條件，旁邊還沒有老人可以請教，就可以自己翻一翻之前記錄的條件進行模仿。
許秋旋轉旋鈕，緩緩的加大電流強度，從0安培到5安培，再到10安培，然后到15安培。