差不多什么樣的成果，可以達到這個CNS級別，許秋自己心里基本上都是有數的，他只要不斷朝著那個方向努力就行了。
得到了Y12這種材料，許秋同步開展各項表征，分析它為什么比之前的Y3材料要好。
對于材料學科來說，想要在開始實驗之前，通過分子結構去預測一種材料的好壞，還是非常困難的。
比如許秋拿到手的這個Y12材料，在它成功的背后，其實有數十個失敗的材料。
這些材料都是之前許秋通過預測，得出它們可能具有較高性能的材料，但實際結果卻并不理想。
從某種意義上來講，這種應用型學科，還是有些“玄學”成分在里面的，經常要講故事給別人聽。
比如拿到一個比較好的結果，再回去看它的分子結構，并結合各種表征手段，去解釋這種材料為什么好，其實就是一種“玄學”。
但故事總還是得講的。
因為當“玄學”故事講多了，得到了大多數人的認同，并可以預測其他結構的結果時，“玄學”也就演變成為了“科學”。
為了解釋器件性能提升的原因，許秋主要通過DFT模擬，光源GIWAXS，TEM透射電鏡等手段，對比了Y12和Y3兩個體系。
結果發現，相比于Y3，Y12主鏈分子結構只是進行了細微的改變，主要是側鏈位置的改變，使得受體分子之間的分子堆砌做到更好，進而有利于電荷的輸運。
因為Y3和Y12兩者的分子結構相似，所以Y12的合成也類似于之前Y3的合成，同樣需要六步反應。
第一步，雙溴取代的，氮原子上帶有乙基己基側鏈的苯并噻二唑（BT）單元，通過硝基化反應，在苯環剩余的兩個反應位點上連接兩個硝基，得到得到雙溴、雙硝基取代的BT單元。
第二步，將雙溴、雙硝基取代的BT和帶側鏈的單三甲基錫取代的TT單元反應，得到TT-BT-TT的結構，其中BT上連接有兩個硝基，TT遠端有一個直鏈烷基側鏈。
第三步，將TT-BT-TT分子中的硝基還原，并與相鄰的TT單元成環，形成環狀的仲胺，得到連續的稠環結構。此時，產物中存在位于TT-BT之間的仲胺，上面還有一個殘留的氫原子，這是一個反應位點。
第四步，將第三步的反應物和溴代烷烴反應，用烷基取代仲胺上的氫原子，形成叔胺，實現在N原子上引入側鏈的目的，得到最終的中央DAD單元。
第五步，中央DAD單元的醛基化反應，在中央DAD單元的兩端連接兩個醛基。
第六步，經過醛基化的DAD單元與A單元ICIN-2F進行反應，得到Y12。
許秋開始思考接下來的優化方向。
之前他基于Y3改分子結構，試了數十種方法，結果發現改動幅度越大，最終的性能就越差。
像Y11、Y12這種程度的小改反而性能得以了提升。
可能這就是大米手機，花了200W更換LOGO，結果只是“加了一行代碼”，從方變圓的原因吧。
當我們去精益求精的時候，不能更改的太多，因為一旦改的太多，就會變成另外一個新的東西了。
而如果是新舊東西的性能期望是按照正態分布的話，當原先已經做到比較頂尖，那么新東西大概率會變差。
經過一番思考，許秋最終決定不對Y12“動大刀子”，也就是暫時不更改主鏈，主要只針對側鏈、端基進行修飾。
一方面，端基是比較常規的優化方式，之前發現引入甲基、氟原子、氯原子都會對器件性能造成影響，現在Y12采用的是引入氟原子的結構，可能更換為其他端基，性能還會有所提升。
另一方面，雖然非富勒烯受體的主鏈是主要負責光吸收的，但側鏈的重要性也非常高，因為側鏈可以改變材料的溶解性、結晶性，進而改變共混薄膜形貌，對電荷輸運和最終的器件性能造成影響。
同時，之前搬家的時候，雖然確認了蒸鍍儀器的功能良好，但是不確定最佳的蒸鍍條件有沒有發生改變。
因此，許秋在離開魔都之前，也把江彎手套箱的蒸鍍設備復制了一份，現在也在利用標樣器件，同步摸索最優的蒸鍍條件。