拿出來的石蠟敲成塊后放入玻璃杯中用酒精燈加熱融化。
然后用毛刷粘上融化后的石蠟在粗制的碳化硅晶材上刷上薄薄的一層。
等待晶材表面的石蠟冷卻凝固后，再用小刻刀將需要侵蝕的部分上的石蠟清理干凈，露出里面的碳化硅。
最后再刷上一層之前就制備好的氫氟酸，等待半個小時左右。
漫長的時間中，氫氟酸會將沒有石蠟保護部分的碳化硅中的硅分子腐蝕掉，方便后續鋁離子的嵌入以及極點的鑲嵌。
這種做法，是他理解原始晶體管以及集成電路制備方法后結合定下來的。
雖然他現在沒有光刻機，也暫時沒法制造集成晶體板。
但這并不代表他不能使用集成晶體的制造方式來制造碳化硅晶體管。
相對比原始晶體管，這種方式制備的碳化硅半導體晶體管體積更小，也更加穩定。
而且因為應用了集成電路的侵蝕鍍刻，在功率、響應效率和使用壽命上也更加強大。
如果說原始的晶體管需要五千顆才能達到每秒百萬次的運算量的話。
那這種碳化硅晶材加特殊手法制備的晶體管大概兩千多顆就夠了。
雖然數量上還是很龐大，但相對比電子管動輒百萬顆的數量來說，兩千顆晶體管已經很少了。
等待了三十分鐘，韓元將被侵蝕的差不多的碳化硅晶材用清水清晰干凈，然后再重復幾次這個步驟。
氫氟酸雖然能侵蝕碳化硅，但需要多次重復侵蝕才能達到他的要求。
需要的時間自然就很漫長了。
耗費了一上午的時間，三十顆粗加工的碳化硅晶材才處理完成。
這些晶材依舊使用功能的不同，形狀不同，被侵蝕的部位也不同，而且需要侵蝕的程度也不同。
處理好這些碳化硅晶材后，韓元先弄了點午餐，吃完后就立刻回到了實驗室，并沒有按照以前的方式休息一會。
他現在想盡快完成這個二級任務。
回到化學實驗室，韓元從儲物間中取出來硫酸、硝酸等一些下午需要用材料。
“昨天我跟大家講過了，三晶體管一共有三層，每一層的物質組成結構和作用都不同。”
“上午我處理好的碳化硅晶材，就是一層，也是碳化硅晶體管的主體。”
“而現在，我要來給主體來添加另外兩層極點了。”
“這次我制備的晶體管，從功能上來說，屬于信號放大晶體管。”
“所以我需要按照昨天講解的方式，給他添上N-漂移層和P阱，來起到聚集電子和放大電信號的作用。”
“至于材料，N-漂移層和昨天講解一樣，用的是鋁，不過并非是簡單的用鋁包裹一層。”
“而是需要將鋁制備成鋁離子，然后注入到上午侵蝕出來的溝槽中，從而形成穩定的N-漂移層。”
“所以我現在需要先將鋁離子制備出來。”
一邊講解，韓元一邊動手處理材料。
鋁離子的制備對已經掌握了初級化工應用知識信息的他來說很簡單。
用硫酸鹽或者氯鹽在強氧化劑的保護下就可以制備出來。
而且制備出來的鋁離子含量還相當高，足夠他用來制造晶體管中的N-漂移層了。