第三百八十四章
目前，發展較好的寬禁帶半導體主要是Si這兩種。
在燕大的半導體研究中心這，主要研究的寬禁帶半導體對象是GaN。
在GaN基寬禁帶半導體領域，該研究中心一直處于國內領先地位。
注冊擁有的和GaN寬禁帶半導體有關的發明專利，多達二十多個。
包括GaN基外延層的大面積、低功率激光剝離方法，銦鎵氮單晶薄膜MOCVD外延生長技術等等。
第三代寬禁帶半導體擁有良好的物理化學性能，可應用在諸多的領域。
而現在，根據第三代半導體的發展情況，其主要應用為半導體照明、電力電子器件、激光器和探測器、以及其他4個領域。
各個領域產業成熟度各不相同。
但在前沿研究領域，寬禁帶半導體還處于實驗室研發階段。
目前市面上主流的半導體，還是以第一代半導體和第二代半導體為主。
其原因嘛……
當然是第三代寬禁帶半導體還有很多技術難題沒有攻克。
燕大的半導體研究所正在進行的工作，就是全力攻克這些難題，早日實現第三代半導體技術的徹底成熟，應用于市場。
…………
寬禁帶半導體實驗室，顧律三人穿著深棕色的實驗服，在張主任的帶領下走進去。
實驗室的面積很大。
將近有半個籃球場的大小。
一眼望去，可以看到實驗室內數位研究員在各臺儀器前緊張的忙碌著。
“主任好。”
“主任好。”
幾位年輕的研究員助理見到張主任進來，客氣的打招呼。
張主任點點頭，然后擺擺手，“你們接著忙，接著忙。”
“我們先去MOCVD那邊吧。”張主任壓低聲音，詢問顧律。
顧律點頭一笑。
張主任帶著顧律來到一臺一個高的長方形設備面前。
“這個就是我們實驗室的MOCVD了！”張主任拍拍設備外面的鐵殼，笑著為顧律介紹。
顧律上下打量了這臺設備一番。
所謂的MOCVD，是在氣相外延生長的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。
該設備以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
上面說的有些復雜。
簡單來理解的話，就是通過這臺MOCVD設備，可以將有機化合物和氫化物，合稱為實驗室所需的GaN寬禁帶半導體。
這是一臺生長寬禁帶半導體的儀器。
顧律在國外見過這種設備。
不過國內和國外的MOCVD系統是有些區別的。
因為MOCVD系統最關鍵的問題就是保證材料生長的均勻性和重復性，所以國內和國外MOCVD系統的主要區別在于反應室結構。
在國外，反應室結構大多采用‘TurboDisc反應’，而國內則是采用‘行星反應’。