“3D晶體管或許有人熟悉有人陌生，事實上，這早已不是什么新鮮的概念，最早的耗盡型貧溝道晶體管我們在1989年就見到過，之后基于DELTA技術的多閘極電晶體成為業內一個重要的研究方向。
像伴英特爾早在2002年就對外宣傳他們的3D晶體管設計，大風集團也很早就開始大力投入3D晶體管的研發。
為什么這么多人盯著這個方向，說白了，就是因為當晶體管的尺寸縮小到25nm以下時，傳統的屏幕尺寸卻已經無法縮小，那么問題就會出現。
我們一起來看大屏幕。”
大屏幕上出現了幾張技術分析圖，“二維結構晶體管自上世紀60年代開始應用，到現在已使用接近半個時間，然而我們注意到，隨著閘極長度越來越小，源極和汲極的距離越來越近，閘極下方的氧化物也越來越薄，從而加劇漏電的可能性。
同時，原本電子是否能由源極流到汲極是由閘極電壓來控制的，但是閘極長度越小，閘極與通道之間的接觸面積也越小，也就是閘極對通道的影響力變小了。
尤其是當閘極長度縮小到20納米以下的時候，這些問題格外明顯。
而當原本的源極和汲極拉高變成立體板狀結構時，源極和汲極之間的通道變成了板狀，閘極與通道之間的接觸面積一下子就變大了。
這樣一來即使閘極長度縮小到20納米以下仍然能保留很大的接觸面積，仍然可以控制電子是否能由源極流到汲極，可以說，多閘極晶體管的載子通道受到接觸各平面的閘極控制，提供了一個更好的方法可以控制漏電流。
同時，由于多閘極晶體管有更高的本征增益和更低的溝道調制效應，在類比電路領域也能夠提供更好的效能，從而減少耗電量并提升芯片效能。
我們的實驗數據表明，32nm的立體晶體管可以比32nm平面晶體管帶來最多40%的性能提升，且同等性能下的功耗減少一半。”
此時站在臺上負責主講的人，名叫楊培棟。
提到3D晶體管，尤其是提到FinFET，也就是鰭式場效晶體管，更多人的第一反應肯定是胡正銘，畢竟胡正銘一直都是以FinFET發明者的身份為人熟知的。
但事實上FinFET并不是胡正銘一個人發明的，而是一個團隊發明的，而且其中有三個核心人物，胡正銘是一個，還有兩個分別是金志杰和楊培棟。
為了搞3D晶體管孟謙還真去找過胡正銘，但或許是因為胡正銘從臺積電走后依然是臺積電的顧問，而大風集團前幾年跟臺積電關系又很僵的緣故，胡正銘并沒有接受孟謙的邀請。
于是孟謙就又去找了楊培棟和金志杰，同時，大風半導體還有很多從其他地方挖來的頂尖人才，今天的成功也是團隊的成果。
這個楊培棟也算是個神奇人物了，頭頂“世界100位頂尖青年發明家”，“全球頂尖100名化學家”，“全球頂尖100名材料科學家”三大頭銜。
而且一提到楊培棟就一定會有人聯想到努力兩字，所有跟楊培棟合作過的人都不會少了這一評價。
但孟謙跟楊培棟當年私下溝通時候特別投機的一點在于兩人對這個問題的看法都是努力當然是正能量的事情，但很多時候像孟謙和楊培棟這種拼命的人就是單純的真的很想去做一件事情，在外人看來就成了拼命，事實上，只是因為想做。
宣揚努力有兩種方式，一種是販賣焦慮，一種是販賣熱愛，孟謙更喜歡后者。
楊培棟跟胡正銘一樣，在多個大學和企業任職，在大風半導體他現在也只是顧問的身份，并不常在公司，但這個項目確實他出了很大的力，最后還是決定由他來主講。
除了他在業內的名氣，還有楊培棟身上一種說不清的自信很適合主講，正如現在，楊培棟在講解完技術后語氣平淡卻讓人感覺擲地有聲的說道，“在公司團隊的努力下，3D晶體管終于可以從實驗室走向市場。