盡管這只是通過計算機繪制的微觀圖案，但卻最真實的還原了兩者之間的區別。
當發布會現場大屏上的那張對比圖放出來的時候，在場幾乎所有人，無論是英特爾的總裁帕特·格爾辛格，還是蘋果的總裁副總裁蒂姆·米勒，臉上無一例外地不是露出了驚詫的表情。
而現場更是傳來陣陣騷動的聲音。
能夠來參加今天的產品發布會的，可以說除去政府蔀門的人員外，其他的全都是半導體領域的工程師、高管或學者。
然而就是這樣一群站在半導體這個領域金字塔的人，此刻卻宛如小學生上課一般，呆呆的看著講臺。
利用大量的碳納米管像積木組裝一樣搭建成宏觀的芯片，這的確是理論上碳基芯片的優勢。
但就目前各國以及相關的研究機構在碳基芯片上的研究來看，根本就不可能做到這一點。
目前來說，實現碳基芯片最好、最成熟的方法就是通過超高半導體純度、順排、高密度和大面積均勻的單壁碳納米管陣列，然后依次排列，如同硅基芯片一般進行疊加光刻。
這是碳基芯片研究了十幾年以來最理想最成熟的方法。
也是理論上最簡單的方法。
但即便是最簡單的這種方法，對于碳基芯片中碳納米管的高密度大面積排序依舊是個難以解決的問題。
早在2019年就制備出達到大規模碳基集成電路所需的高純、高密碳納米管陣列材料，并采用這種材料首先實現了性能超越硅基集成電路的碳納米管集成電路的北大彭練矛教授的團隊，同樣至今在因這個難題而困擾著。
甚至為了解決這個問題，他們在著手建立專用的工業級研發線。
因為在學校現有的實驗條件下，能夠制作出的最復雜的碳納米管芯片的集成度只有幾千、最多幾十萬個晶體管，尺寸還是微米級的。
原本無論是英特爾還是蘋果，亦或者是高通，amd等企業的高管和工程師，參加這次的產品發布會，下意識的都認為星海研究院所制備的碳基芯片就是采用的最基礎的疊層技術而完成的。
現在卻突然冒出了三維立體碳納米管陣列技術，這不由的讓所有人都直接懵逼了。
就連英特爾的總裁帕特·格爾辛格都情不自禁的咽了口唾沫，喃喃自語的說道。
“這怎么可能！？”
“這不可能！我不相信。”
不由自主地將心中的震撼宣泄了出來，臉上寫滿震撼的格爾辛格呆滯的看著大屏上的對比圖，忽然打了個激靈后回過神來，臉上的表情從震撼快速的轉變成難看。
如果說這是真的，那么對于英特爾來說，乃至對于整個硅基半導體工業領域來說都將是一場‘真正’的災難。
雖然說因為結構和制造工藝使得硅基芯片內部具有三維特性，但通常芯片中起關鍵作用的器件位于芯片的正面，也就是立方體的一個表面。
像ffet、gaa等技術都是基于這個表面，對器件做了三維處理，成功改善了器件在低尺寸范圍內的性能。
而所謂的3d堆疊則通常是將多個芯片平行疊加，可以理解為將包含器件的表面平行放置。
畢竟如果說將立方體的六個面全部進行工藝制作，即部分包含器件的表面是垂直或以一定角度放置，會存在性能不均、工藝難、可靠性差、成本高等一系列問題。
但從從性能上講，晶體立方體的不同面，會因為晶體結構、晶體制作工藝，存在不同的表面狀態，會導致同一種器件在不同表面出現不同的性能。
這就意味著三維化的碳基芯片，無論是在電路設計還是性能、亦或者是功能性上都會遠超出二維平面的硅基芯片。
對于硅基芯片來說，這毫無疑問是一場真正意義上的降維打擊！
無論從哪方面來說都是的。
口中的呼吸聲逐漸的沉重起來，那失去了聚焦的瞳孔猶如一滴墨水滴入清水中不自覺的擴散開來。
目光落在發布會現場的大屏上，盡管因為走神已經看不清那上面的詳細畫面了，但帕特·格爾辛格依舊能夠感受到它所帶來的壓迫。
難怪華國能夠有如此大的自信，敢在這場新聞發布會上釋放出顛覆整個‘硅基半導體市場’的目標。
原來
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