但是碳化硅襯底的表面特性不足以直接制造器件，需要在單晶襯底上額外沉積一層高質量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
外延層的質量對器件性能的影響非常大，而高壓領域對缺陷的控制是非常大的挑戰，而且后加工難度很大，碳化硅是硬度僅次于金剛石的材料，晶棒后續的切片、研磨、拋光等工藝的加工難度顯著增加，我們國內缺乏這類的加工器材。
而且由于碳化硅擴散溫度遠高于硅，無法使用擴散工藝，只能采用高溫離子注入的方式。
但高溫離子注入后，材料原本的晶格結構被破壞，需要用高溫退火工藝進行修復。碳化硅退火溫度高達1600c，這對設備和工藝控制都帶來了極大的挑戰。”
老頭絮絮叨叨的說著，半響他嘆了口氣，“歸根到底還是成本問題，我個人認為，小卿你太樂觀了些，三五年內，它很難走出實驗室。”
此話一出，全場也是議論紛紛，嚴東升的擔憂引起了在場人士的廣泛討論。
云帝很是欣慰，現在的院士們在他潛移默化的影響下，看問題的角度更加務實了。
不過眼前這個問題，他不接受反駁。
在電子戰領域，每一個微小的技術優勢都可能成為決定戰局的關鍵。
碳化硅材料的耐高溫、耐高壓特性，使其在電子戰中能夠承受極端的電磁環境，保持電子設備的穩定運行。
這個材料的攻破時間必須提前。
因為他的出現，已經導致半導體產業的發展提速。
但是，如果國家沒有一只強大軍隊作為后盾，只是單方面的攀升科技樹，那么作為肥羊被宰都是最輕松的。
16年發生的事，很可能會提前。
要是沒有提前準備，到時候退的，可能就不是阿美莉卡了。
國力必須協同軍力同步發展，有的時候窮兵黷武一點也沒問題。
守不住，一切都是空談。
卿云堅定地說道：“嚴院士，我理解您的擔憂，碳化硅的制備和加工確實存在難度。
但我們必須看到，這些難度并非不可克服。
成本問題是需要迭代去解決的。
既然我們已經確認了它的前景，通過嚴院士您的團隊，我們也在碳化硅的制備技術上取得了一定的進展，那么我們就堅定的走下去。
我相信，隨著我們產業上自身技術的不斷進步，這些難題將會被一一解決。”
“設備這邊，工信部正在摸底，相信民間還是有一定智慧的。同時我們也在通過玻璃產業去引進一些國外的高端設備。
但我還是那句話，能用國產，就用國產，性能差點沒關系，迭代就好，在我們力所能及的范圍內，給國產一片成長的土壤。”
“硅具有高理論比容量和低嵌鋰電位，接近鋰金屬負極的理論比容量，按照形成li3.75si合金計算，其理論克比容量達到3579ah/g，接近商業石墨負極理論容量的10倍。
此外，硅表現出約為0.4v的鋰化/脫鋰化電壓，低于其他大多數合金型負極，可提供較高能量密度。
同時，其工作電位略高于石墨鋰化電位，可以極大避免析鋰現象，提高循環壽命和安全性。
它必然會成為負極材料。”
“我們礦大化工學院的王娟和張香蘭兩位教授在這方面研究的比較深，同時湖科大機電院的龔俊等人也對鋰離子電池用硅基負極硅源材料及其制備工藝進行了一定的研究。
這方面我們應該是有共識的，硅基負極材料因其高比容量而被認為是下一代鋰離子電池有前途的負極材料之一，但同時也面臨著成本、體積膨脹等商業化障礙走不出實驗室。”
“錢就是拿來用的，發展基金可以對這兩個團隊進行資助……”
“一條路走不通就換個思路嘛，既然剛性策略不行，換成粘彈，這不就解決高膨脹負極的穩定性了嗎”
“沒有什么可是的，我要的不是讓你們論證我的理論是否可行，要的是你們去實現它，就這么簡單！”
卿云和院士們的相處模式，讓劉瀏目瞪口呆。