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          筆趣閣 > 科幻小說 > 科技入侵現代 > 第371章 超導芯片

          第371章 超導芯片(2 / 4)

          所以他們討論反思還只是停留在一個比較和平理性的層面,但超導芯片是完全沒有的產物,是華國首先提出的概念,并且有落地的可能。

          這讓印度意識到,大家也許不一樣,華國也許不是追趕者,華國在科技領域也許正在朝創新者的角色轉型,甚至已經成為了創新者的角色。

          往更深了聊,印度對自身的定位仍然是依靠歐美資本、歐美技術、歐美市場獲得發展的國家,他們覺得華國也是如此,所以大家是競爭關系,你多獲得了一些,印度就少獲得了一些。

          但超導芯片的出現,讓印度意識到,好像我們也在接受來自華國的資本、產業和技術輸出,這讓他們破防了,因為在不知不覺間華國實現了身份地位的轉換,但印度還是印度。”

          當然圍繞超導芯片,不但印度關注,發達國家同樣在關注。

          這也許關系到下一代的芯片材料。

          芯片領域的從業人員都能很直觀感受到硅基芯片已經到了一個極限,每往前一步都格外困難,成本上升、良品率下降、各種負面因子開始涌現。

          如果不采用更加先進的3d立體結構,硅基芯片這幾年就要到頭了。

          那么華國的低溫超導路線到底可不可行,這成為了業界關注的焦點。

          月球上能夠保證常態低溫,能夠利用低溫來構建超導芯片,在地球上這一點自然是做不到,他們關注的是,低溫超導有沒有可能會表現出一些有意思的特性,而這些特性是否能指導下一代芯片材料的出現。

          超導本身就令人遐想連篇,那么不需要超導,常溫常壓下的半超導有沒有可能呢

          新的環境,新的條件,有可能誕生新的材料。

          所以業界格外關注華國超低溫超導芯片的最新進展。

          當然在華為內部,那就更重視了,調兵遣將,派了最精銳的團隊從松山湖調到申海來。

          他們第一年主要要做的是驗證技術可行性,技術路徑早已確定:利用鐵基超導體fese薄膜,在srtio3襯底上通過分子束外延生長,實現溫度在100k的超導狀態,這樣的樣品理論可行,但實際呢

          在月球上它的表現如何不僅僅是計算本身,還有穩定性、耗能等等,其他狀態到底如何。

          他們需要先拿個樣品出來。

          以阿波羅科技的能力來說,他們前腳有了樣品,后腳就能打到月球上去做測試。

          月球上的環境什么的都已經準備好了,電能已經具備,陰影區域探索完成,隨時可以進行測試。

          屬于是萬事俱備只欠東風。

          “吳工,你們那邊進度如何”林燃同樣關注這件事,他大概每周會和技術團隊開一次會,技術團隊由華為和阿波羅科技共建,人員配比大概在7比3的樣子。

          吳工是這只技術團隊的具體負責人,華為半導體條線僅次于梁孟松的資深工程師。

          第一個月:“教授,我們從fese入手,母體fese是半導體,tc只有8k,但單層薄膜在界面效應下,能提升到109k。

          月球真空環境完美匹配be生長,避免氧化。”吳工說

          團隊的研究員們戴著護目鏡,操作著設備:先將srtio3襯底加熱到600°c,清潔表面;然后控制鐵源和硒源的蒸發速率,鐵原子束強度為0.1單層/分鐘,硒過量以確保化學計量比。

          生長過程中,吳工偶爾糾正參數:“注意襯底溫度,過高會導致晶格失配,降低電子-聲子耦合,目標厚度是約0.5n的單原子層。”

          在第一個樣品生長完成后,他們用x射線衍射(xrd)檢查晶體結構:峰值顯示良好外延,但電阻測試在液氮浴(77k)中,超導轉變溫度tc只有50k,遠低于預期。

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