之所以孫祖杰這么牛逼轟轟。敢做這樣的賭博。就是因為孫祖杰在八十年代投資啟動研究的幾款激光器。尤其是arf193n激光器終于在1997年開發成功。這是一個具有戰略意義的重大突破。
而最先進的極紫外光euv技術。華國經過長期不懈的攻關。目前也已經取得了不少的成果。
之所以在光源上取得突破。原因就是華國的激光技術一直處于世界一流水準。有了不少投資。又有了明確的方向。取得發展是必然的。
華吉光電所搞出的激光器雖然功率低了一些。但是勉強可以使用。這也迫使倭美兩國不得不陸續放棄了對華國在這一領域的技術封鎖。
孫祖杰對他們取得的成功非常高興。華投緊接著又撥給他們一千萬華元資金。要求arf193n激光器必須達到西方同等水平。
但是光源只是光刻機一小部分。作為最尖端的機電一體化產品。華國自產的光刻機最大的問題就是套刻精度不夠和生產效率不行。
套刻精度與光刻分辨力密切相關。如果要達到010μ的光刻分辨力。根據33法則要求套刻精度不低于003μ。
套刻精度主要與工件臺和掩模臺定位精度、光學對準精度、同步掃描精度等因素有關。定位精度、對準精度和同步掃描精度分別約為套刻精度的1513。即0006001μ。
而提高生產效率是光刻機實現產業化的必要條件。為了提高生產效率。必須優化設計激光器輸出功率、重復頻率、曝光能量控制、同步掃描等各個技術環節。并采用先進技術盡量減少換片、步進和光學對準等環節所需時間。
要想能夠完善所有環節。必須用漫長的時間去摸索。調試。這就需要大量的投資。雖然歐派微芯出錢。各大學和幾大光學所出技術。花了無數的錢。但是因為華國整體工業實力的不足。華國國產光刻機為了提高套刻精度。還是不得不降低生產效率。
華國九十年代研發的1微米前道光刻機相比于進口產品。效率一直差得比較多。就是這個原因。所以為了提高生產效率。孫祖杰很早就想到了阿斯麥的雙工作臺。
雙工作臺系統。使得光刻機能在一個工作臺進行曝光晶圓片。同時在另外一個工作臺進行預對準工作。并在第一時間得到結果反饋。這樣生產效率可以提高大約35。精度提高10以上。
但是雙工件臺系統雖然僅是加一個工作臺。但技術難度卻不容小覷。對工作臺轉移速度和精度有非常高的要求。
華國工程師從磁懸浮技術得到啟示。利用華國在永磁體領域的領先。正在全力開發磁懸浮工作臺。目前實驗研究已經有了不小的突破。實驗發現精度確實有了不小的提高。
現在有了193narf光源。有了浸沒式光學鏡頭。又有了雙工作臺的突破。專家們經過研究認為根本沒有必要再跟著西方的技術路線亦步亦趨。歐派微芯完全可以直接攻關01微米左右線程的浸沒式光刻機。
因為使用193narf光源的浸沒式光刻機。波長直接縮短為134n。這樣新型光刻機可以直接從01n左右線程起步。再通過光學鄰近效應矯正等技術后。其極限光刻工藝節點甚至可達28n。