光刻機的制造難度主要在于三大關鍵設備：光源、雙工件臺、光刻機鏡頭。
而在光源方面，毫無疑問Z國的世界最強的那個，這個結論從激光武器Z國明顯領先M國便能得出。
一個小小的光刻機光源，完全難不倒Z國的科研人員。
雙工件臺就不太容易了，據說A**L研發的基于磁懸浮平面電機的雙工件臺產品，其掩模臺的運動控制精度做到了2納米，大大提升了芯片加工的精度和效率。
如此先進的雙工件臺，外國專家曾傲慢地說：“全世界沒有第二家機構能做出來。”
然而僅僅過去五年不到，Z國菁華大學的一個科研團隊，研制的運動精度控制在2納米左右的雙工件臺，成功通過了整機驗收。
關鍵技術指標達到了國際同類光刻機雙工件臺技術水平。
雙工件臺也被Z國人攻克了。
最后就是光刻機鏡頭，近些年光學鏡頭領域進步飛速，甚至有家民用衛星公司制造的光學衛星，分辨率就達到了1米、0.5米，地面的航母、軍艦、車輛一覽無余，甚至可以拍攝正在起飛的飛機，拍攝火箭發射畫面，清晰度令人吃驚。
民用光學衛星的表現已如此夸張，軍用當然更不得了。
這反映出的，是Z國在光學鏡頭領域的進步。
光刻機鏡頭自然也難不倒Z國的科研人員。
所以光源、雙工件臺、光刻機鏡頭這三大用于制造光刻機的核心設備，Z國全部掌握。
這也正是A**L公司對Z國放開光刻機銷售的原因……嚴厲的封鎖，光刻機領域，只會導致Z國以更快的速度取得突破。
兔子被逼急了，會要你的命。
而Z國的光刻機至今沒有趕上國外最先進水平，一方面是市場份額被人牢牢把控；其次走相同的技術路線，會不可避免地會侵犯到A**L的知識產權，引發專利官司。
再加上一些關鍵設備的禁售。
國產的光刻機發展始終不溫不火。
即便如此，為了繞開國外的專利壁壘，Z科院光電所另辟蹊徑，研制了一款全新的光刻機——
超分辨納米光刻機。
這種光刻機采用了與傳統光刻設備完全不同的技術路線，用365納米近紫外光源，單次曝光最高線寬分辨力達到22納米，結合多重曝光技術后，可用于制造10~9納米級別的芯片。
而這款光刻設備，使用的是波長更長、更普通的紫外光，在普通環境下便能完成光刻，意味著國產光刻機使用低成本光源，實現了更高分辨力的光刻。
制造成本只有A**L公司光刻機的幾分之一，乃至十幾分之一。
技術原理層面的突破，更是相當于別人在開山修路的時候，你打通了一條隧道。
不過超分辨納米光刻機雖好，卻也存在一個較為嚴重的缺陷。
那就是曝光時間過長。
尤其實在芯片領域，EUV光刻機曝光15秒便能完成的任務，超分辨光刻機需要十多天。
更加形象的比喻是，傳統光刻機是直接拍出一張照片，超分辨光刻則是拿一支筆，慢慢畫出一張圖片……效率差別巨大。