“隨著半導體行業的不斷發展，越來越多的半導體材料被應用于電子器件中。那你們知道，我們這次課題，為什么要采用金剛石嗎？”
陳舟和沈靖再次對視一眼，沈靖給陳舟遞了個眼神，交給你了，我不懂這些……
而陳舟只覺得納悶，怎么這師徒兩人，都喜歡問人問題呢？
偏偏還都是這么簡單的問題，要問也問點有難度的呀？
想是這樣想，陳舟肯定不會說出來，萬一這高冷學姐……
收回思緒，陳舟輕聲說道：“普通半導體材料受到自身性能的約束，在高溫條件下的應用會受到極大的限制。”
“而金剛石半導體器件具有高載流子遷移率、高熱導率和低介電常數等優異的電學性質，能夠在高頻、大功率和高溫高壓等十分惡劣的環境中運行。”
“金剛石通過摻雜可呈現n型導電和p型導電，性能會遠超砷化鎵、氮化鎵和碳化硅等材料，是目前最有希望的寬禁帶高溫半導體材料。”
潘詩妍略顯意外的看了陳舟一眼，沒想到這人知道的還不少。
“沒錯。但不光如此，”潘詩妍補充道，“由于金剛石帶隙很寬，在半導體領域中，既能作為有源器件材料，像場效應管和功率開關，也能作為像肖特基二極管這樣的無源器件材料。”
頓了頓，她看著陳舟又問道：“你剛才說金剛石是一種寬禁帶高溫半導體材料，怎么看出來的？”
陳舟看了潘詩妍一眼，想了想，既然你打開了話題，那我就不客氣了。
陳舟便說道：“金剛石的帶隙寬度是5.5eV，它的高載流子遷移率在空穴為高熱導率在高擊穿電場在而其電子載流子飽和速率在1.5×10^7到2.7×10^7cm/s之間，空穴載流子飽和速率在0.85×10^7到1.2×10^7cm/s之間，低介電常數是5.7。”
“基于這些優異的性能參數，金剛石被認為是制備下一代高功率、高頻、高溫及低功損耗率電子器件最有希望的材料。”
說完這些，陳舟停頓了一下，又繼續說道：“雖然金剛石的儲量非常稀少，但是上世紀50年代，人們便已經用石墨合成了人造金剛石。”
“而且人造金剛石和天然金剛石的結構相同、性能相近，也就很好的解決了金剛石來源的問題。”
“此外，上世紀80年代，通過建立熱絲化學氣相沉積裝置，也就是HFCVD法，已經能夠在非金剛石襯底上制備金剛石薄膜。到了90年代中期，金剛石膜沉積理論已經相對完善了。”
“雖然后來在20世紀末到21世紀初的時候，受到制備方法的制約，金剛石膜的研究不太順利，但隨著重復生長法、三維生長法及馬賽克法的出現，促進了大尺寸金剛石制備的發展。”
隨著陳舟的敘述的聲音，他身旁的沈靖已經目瞪口呆了。
好家伙，你真的是我們數學專業的嗎？
不是，你真的是我們物理和數學專業的嗎？
這怎么化學方法都這么熟悉？
當然，更令沈靖驚訝的是，這些內容，他怎么沒在文獻上看到？
不管是四十三所發的課題資料，還是陳舟給他發的課題資料，都沒有……
除了沈靖外，原本正在做實驗的研究員們也是一臉驚訝的回頭看著陳舟。
你們不是說找的是燕大數學系的人來幫忙嗎？
我怎么看這像是化學系的？
而問問題的潘詩妍，也同樣被陳舟這流利的敘述給驚到了。
原本想著給兩個新人上上課的她，卻沒想到被陳舟給重新上了一遍課。
陳舟看了眾人一眼，緩緩將目光落在實驗裝置上，輕聲說道：“你們采用的制備金剛石薄膜的方法，應該是微波等離子體化學氣相沉積裝置，也就是MPCVD法。”