黑板上的一層膜，對應光刻膠。
畫完圖后，將硅片浸泡在腐化劑中，失去保護膜的部分被腐蝕掉后形成電路。
用專業的角度來說，
ebl光刻機與紫光光刻機有一些不同。
首先，在機器頂部的電子槍區域，場發射電子源開始工作。
在強大的電場作用下，尖銳的鎢針尖端釋放出高能電子束。
這些高速電子束就像一支訓練有素的微觀部隊，整齊劃一地向下加速。
隨后，電子束進入復雜的電磁透鏡系統。
多組精密的電磁線圈產生磁場，就像一個個無形的透鏡，將電子束逐步聚焦成極細的光點。
這束光點的直徑可以細到納米級別，目前工藝制程是工藝制程14nm。
1毫米等于1000000納米（百萬）。
而人類的一根頭發絲的直徑大約為0.04～0.05毫米，即4萬到5萬納米。
在偏轉系統中，精密的偏轉線圈控制著電子束的運動軌跡。
通過計算機程序的精確控制，電子束能夠在硅片表面進行精確定位和掃描，就像一支精確的納米畫筆。
在真空室底部，覆蓋著光刻膠的硅片正靜靜等待著。
當高能電子束擊中光刻膠表面時，發生劇烈的化學反應。
被電子束照射過的區域，光刻膠的分子結構發生改變，為后續的顯影過程做好準備。
這就是ebl光刻機的曝光過程。
此時，
眼前這臺造價昂貴的設備，正在以一種近乎完美的方式運轉著，將公司芯片設計部門的設計圖紙青龍8124轉化為納米級的實體結構。
它就像一位精確的畫家，用電子為筆，在硅片上描繪出集成電路的藍圖。
隨著加工的進行，實驗室里回蕩著設備運轉的輕微嗡鳴聲。
車載芯片青龍8124已經在計算機上驗證與測試過了，郝強已經驗收，完全沒問題了。
如今，就差制造這一步。
以目前的運轉情況來說，只能說是初步成功。
屏幕上也呈現了畫圖過程，但實際情況，那是肉眼看不到的，需要拿去測試。
ebl001最大產能為150wph，即處理一個硅片，只需要24秒左右，效率非常高。
當然，設計圖越復雜，耗費時間就越長。
理論來說，ebl光刻機的曝光速度很慢，但郝強的技術商店就解決了這個問題。
沒過多久，
第一片硅片曝光完成，接著繼續第二個硅片曝光，直到曝光十個硅片。
“把后續的顯影、封裝等工藝完成后進行測試，測試結果出來后跟我說一下。”郝強跟組長交代，“目前看來，我們只是初步成功了，理論上研制ebl光刻機這條路是行得通的。”
大家聽到董事長的話，實驗室內瞬間爆發出一陣熱烈的掌聲與歡呼，科研人員們相互擊掌，臉上洋溢著無法掩飾的喜悅與興奮。
當然，大家也知道，這只是初步成功而已，還不能高興過早。</p>